 |
Стандартные энтальпии образования некоторых халькогенидов галлия
В настоящей сообщении приводятся результаты определения стандартных энтальпий образования ΔfH°(298) (GaS, GaSe, GaTe, Ga2S3, Ga2Te3) методом прямого синтеза их из компонентов в калориметрической бомбе.
В методике определения электрической энергии, подаваемой в печку, а также в изготовлении печи были произведены усовершенствования, которые оправдали себя как по простоте, так и по точности.
После калориметрического опыта продукты синтеза подвергались рентгенофазовому анализу с целью выяснения их состава и кристаллической структуры.
Таким образом, определены стандартные энтальпии образования указанных веществ и их значения приведены ниже:
ΔfH°(298, GaS, гекс.) = –44,8 ± 1,80 ккал·моль-1
ΔfH°(298, GaSe, гекс.) = –34,23 ± 1,21 ккал·моль-1
ΔfH°(298, GaTe, монокл.) = –28,83 ± 0,78 ккал·моль-1
ΔfH°(298, Ga2S3, гекс.) = –118,6 ± 3,8 ккал·моль-1
ΔfH°(298, Ga2Te3, гекс.) = –61,7 ± 2,6 ккал·моль-1
|
|
