Стандартные энтальпии образования некоторых халькогенидов галлия
В настоящей сообщении приводятся результаты определения стандартных энтальпий образования ΔfH°(298) (GaS, GaSe, GaTe, Ga2S3, Ga2Te3) методом прямого синтеза их из компонентов в калориметрической бомбе.

В методике определения электрической энергии, подаваемой в печку, а также в изготовлении печи были произведены усовершенствования, которые оправдали себя как по простоте, так и по точности.

После калориметрического опыта продукты синтеза подвергались рентгенофазовому анализу с целью выяснения их состава и кристаллической структуры.

Таким образом, определены стандартные энтальпии образования указанных веществ и их значения приведены ниже:

ΔfH°(298, GaS, гекс.) = –44,8 ± 1,80 ккал·моль-1

ΔfH°(298, GaSe, гекс.) = –34,23 ± 1,21 ккал·моль-1

ΔfH°(298, GaTe, монокл.) = –28,83 ± 0,78 ккал·моль-1

ΔfH°(298, Ga2S3, гекс.) = –118,6 ± 3,8 ккал·моль-1

ΔfH°(298, Ga2Te3, гекс.) = –61,7 ± 2,6 ккал·моль-1



К оглавлению библиотеки


Смотрите также:


Энтальпии образования и нагревания ортоферритов иттрия, европия и празеодима

Энтальпии образования карборанов B10C2H12 и их производных

Энтальпии образования некоторых циклосилоксанов

Энтальпии образования твердых растворов щелочных галогенидов с пробелом смешиваемости

Энтальпии образования твердых растворов щелочных галогенидов с пробелом смешиваемости

Стандартные энтальпии образования некоторых халькогенидов галлия



Сделано в Студии Егора Чернорукова
Информация о сайте